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DATE:2019.04.16

  恩智浦推出业界首款采用LFPAK56(Power SO-8)封装的双极性晶体管

  恩智浦半导体(NXPSemiconductors N.V.)日前推出首款采用5mmx6mmx1mm超薄LFPAK56(SOT669)SMD电源塑封的双极性晶体管。新组合由6个60V和100V低饱和晶体管构成,集极电流最高为3A(IC),峰值集极电流(ICM)最高为8A。新型晶体管的功耗为3W(Ptot),VCEsat值也很低——其散热和电气性能不亚于采用大得多的电源封装(如DPAK)的双极性晶体管,其占用面积也减少了一半。

  恩智浦LFPAK封装采用实心铜夹片和集极散热片设计,这是实现如此之高功率密度的基础,因为这种设计大幅降低了封装的电阻和热阻。LFPAK同时还消除了众多竞争DPAK产品中使用的焊线,使恩智浦得以大幅提高机械坚固度和可靠性。

  新款晶体管经过AEC-Q101认证,适用于多种汽车应用,最高支持175°C的环境温度。这些新型低VCEsat晶体管还可用于背光、电机驱动和通用电源管理等应用。今年,新的双极性晶体管组合将不断推出新品,包括采用LFPAK56D封装的双晶体管以及采用LFPAK56封装的6A、10A和15A高电流型号。

  恩智浦半导体晶体管部产品经理Joachim Stange表示:“我们相信,恩智浦LFPAK封装将成为双极性晶体管领域紧凑式电源封装的标准——就如恩智浦LFPAK如今成为MOSFET行业标杆一样。汽车市场尤其需要采用这种封装的双极性晶体管,这为开发出小尺寸、高功率密度和高效率的模块奠定了基础。”

  采用LFPAK56D封装的双晶体管以及6A、10A和15A的高电流型号将从2014年第二季度开始发布。

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